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SIwave 主要針對PCB，芯片BGA 封裝等進行信号完整性（SI）、電源完整性（PI）以及電磁幹擾（EMI）分(fēn)析的軟件(jiàn)。随着芯片低電壓大(dà)電流的發展，PCB 和封裝的噪聲容限越來越小，供電系統要求更加嚴格的設計，尤其是同步傳輸高速信号所産生(shēng)的噪聲，加劇影(yǐng)響系統的穩定性、可(kě)靠性等問題。
ANSYS SIwave 使用優化後的三維電磁場有限元求解技術，适用于精确快(kuài)速分(fēn)析包含大(dà)規模複雜電源、地平面的PCB 和封裝設計。
适用領域
● PCB：硬闆，混合闆等
● BGA封裝：鍵合型、倒裝片型，MCM等
功能和特點
優化層結構的有限元全波求解
求解項目
● 平面諧振
● SYZ 參數
● 掃頻
● 近場
● 遠場
● DC-IR drop
考慮了導體和材料損耗（特性随頻率變化），以及導體表面粗糙度
直觀方便的PCB layout操作(zuò)界面
設計規則檢查和自(zì)動修複功能（validation check）
全波SPICE 模型生(shēng)成
● ANSYS Nexxim、HSPICE、PSpice、Spectre
豐富的CAD 接口 Ansoftlinks（選項）
豐富的報告和後處理(lǐ)功能
● SYZ參數矩陣、2D/3D輸出、Smith圓圖
● 差分(fēn)S參數
● Touchstone格式輸出
● 平面諧振頻率和平面間電位差
● 近場、遠場（電場強度、輻射方向圖（定向性））
● DCIR壓降（電流、電壓的下降、功率分(fēn)布、自(zì)動檢測和報告鍵合線和過孔的過流）
● TDR 顯示
場示意圖
● 平面間電位差（每個頻點随相(xiàng)位變化）
● 遠場輻射（輻射方向圖（方向性））
● 近場輻射
● DC電流（矢量顯示、散射圖）、壓降、功率分(fēn)布
無源器件(jiàn)模型庫
● 村田、TDK、太陽誘電、松下、三星、AVX、Kermet
支持多核并行處理(lǐ)（選項）
仿真流程
ANSYS SIwave可(kě)以直接導入各種版圖設計工(gōng)具通過Ansoftlinks輸出的ANF文件(jiàn)。ANSYS SIwave求解得(de)到的全波SPICE模型以及touchstone格式等可(kě)以導入Ansoft Designer以及其他(tā)各種格式的SPICE仿真器，并與IBIS，AMI等芯片模型結合進行整個系統的時域與頻域仿真。
ANSYS SIwave界面
ANSYS SIwave界面采用方便的層疊方式顯示。簡單方便的操作(zuò)界面，工(gōng)具欄以及工(gōng)作(zuò)窗(chuāng)口可(kě)自(zì)由分(fēn)配位置，模型窗(chuāng)口具有方便的移動，旋轉，三維顯示等操作(zuò)功能。
Layout編輯功能
ANSYS SIwave界面包含豐富的編輯功能。實現與其他(tā)基闆設計工(gōng)具無縫連接，可(kě)導入并編輯布線，層疊結構，焊盤形狀，信号網絡，元器件(jiàn)屬性等各種設計信息。也可(kě)以通過修改布線情況，器件(jiàn)屬性以及增添或删除器件(jiàn)等措施來仿真其對電磁性能的影(yǐng)響。
另外，高性能的規則檢查功能可(kě)以自(zì)動檢查和自(zì)動修複網絡短(duǎn)路(lù)、開路(lù)等電氣問題。
高效分(fēn)割求解技術（Clip）
針對結構尺寸比較大(dà)以及層數很多的PCB結構，SIwave提供clip工(gōng)具，可(kě)将關注的信号網絡單獨切割出來進行SYZ參數提取，有效提高仿真效率。
S、Y、Z參數求解
S、Y、Z參數求解，運用優化了的層疊結構求解技術，能夠對整闆多組信号線路(lù)以及電源、地平面進行多端口網絡參數的高效率求解。求解結果可(kě)以用與HFSS 等後處理(lǐ)器一樣的方法進行顯示和處理(lǐ)。
輸出結果以全波SPICE模型以及touchstone格式等導入Ansoft Designer以及其他(tā)各種格式的SPICE仿真器，并與IC等芯片模型結合進行整個系統仿真。
此外，端口除了可(kě)以通過手動添加設置外，還可(kě)以利用芯片pin list自(zì)動設置，方便快(kuài)捷。
Resonant Mode（平面諧振分(fēn)析）
Resonant Mode分(fēn)析，從設計的形狀、材料特性、以及器件(jiàn)電氣特性的影(yǐng)響來計算發生(shēng)諧振的頻率。顯示發生(shēng)平面諧振的平面間電位差（随相(xiàng)位變化），以及關鍵器件(jiàn)布局情況對諧振結果的影(yǐng)響。
Frequency Sweep（掃頻分(fēn)析）
Frequency Sweep分(fēn)析，通過配置噪聲源（電流源/電壓源）仿真得(de)到層間電位差，這些層間電位差考慮了 設計的形狀、材料特性、以及器件(jiàn)電氣特性的影(yǐng)響。顯示各頻率的平面間電位差，進而可(kě)以分(fēn)析得(de)到關鍵器件(jiàn)布局在實際工(gōng)作(zuò)狀态下的影(yǐng)響情況。
Far Field（遠場）、Near Field（近場）
Far Field及Near Field求解，通過配置噪聲源（電流源/ 電壓源）仿真得(de)到遠場和近場，這些數據考慮了設計的形狀、材料特性、包括器件(jiàn)特性對結構電氣性能的影(yǐng)響。遠場分(fēn)析結果可(kě)以顯示指定距離的電場強度、輻射方向圖等，近場可(kě)以顯示指定範圍的近場電場分(fēn)布圖，對整闆進行EMI 分(fēn)析。
DC電流/電壓求解
DC求解，配置電流/電壓源仿真得(de)到電流、電壓和功率，這些數據考慮了設計的形狀、材料特性、包括器件(jiàn)特性對結構電氣性能的影(yǐng)響，輸出各層電流、電壓、功率分(fēn)布，并以HTML格式自(zì)動報告。各鍵合線、焊球、過孔的電流密度、電阻值、IR Drop可(kě)以與預先設定的門限進行Pass/Fail檢查。
Signal Net Analyzer
Signal Net Analyzer，使用MoM求解器，對選擇的信号網絡的器件(jiàn)端口間的阻抗在時域顯示。此外，自(zì)動調用已有的電路(lù)仿真器（HSPICE或Nexxim），引入芯片的IBIS模型（Driver/Receiver），進行時域瞬态仿真并顯示波形。
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